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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN + 齐纳二极管（隔离式）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：180MHz
丝印：
外壳：
封装：UMT6
料号：JTG4-3702
包装：
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可供数量:咨询
个
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：180MHz
丝印：
外壳：
封装：UMT6
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包装：
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咨询客服
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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外壳：
封装：SMT6
料号：JTG4-2406
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN，PNP（耦合发射器）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
功率 - 最大值：150mW
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丝印：
外壳：
封装：UMT5
料号：JTG4-2487
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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN，PNP
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功率 - 最大值：300mW
频率 - 跃迁：180MHz，140MHz
丝印：
外壳：
封装：SMT6
料号：JTG4-2533
包装：
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现货库存:0
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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系列：-
晶体管类型 ：2 PNP（双）
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丝印：
外壳：
封装：SMT6
料号：JTG4-2534
包装：
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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:320MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 PNP（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：140MHz
丝印：
外壳：
封装：EMT6
料号：JTG4-2601
包装：
参考价格:￥0.598900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:320MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
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丝印：
外壳：
封装：VMT6
料号：JTG4-2626
包装：
参考价格:￥0.598900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:320MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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晶体管类型 ：NPN，PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：200mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：400MHz
丝印：
外壳：
封装：VMT6
料号：JTG4-2627
包装：
参考价格:￥0.598900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
参数： * 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:560 @ 10mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 10mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:1.5GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:320MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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